高温のSi(111)表面融解に対する前駆体

FUKAYA Y; SHIGETA Y

文献

J-GLOBAL ID：200902182046941902 整理番号：02A0594422

高温のSi(111)表面融解に対する前駆体

Precursor to surface melting of Si(111) at high temperature.

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巻： 65 号： 19 ページ： 195415.1-195415.8 発行年： 2002年05月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

新しい構造が発見されている1220-1540KにおけるSi(...

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半導体の表面構造

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