電界阻止技術によるIGBTを使った6.5kVモジュール

BAUER J G; AUERBACH F; PORST A; ROTH R; RUETHING H; SCHILLING O

文献

J-GLOBAL ID：200902182107673671 整理番号：01A1035756

電界阻止技術によるIGBTを使った6.5kVモジュール

6.5kV-Modules using IGBTs with Field Stop Technology.

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著者 (6件)：

BAUER J G

BAUER J G について

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(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)

Infineon Technol. AG, Munich, DEU について

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AUERBACH F

AUERBACH F について

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(Eupec, Warstein, DEU)

Eupec, Warstein, DEU について

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PORST A

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(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)

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ROTH R

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(Infineon Technol. Austria, Villach, AUT)

Infineon Technol. Austria, Villach, AUT について

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RUETHING H

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(Infineon Technol. AG, Munich, DEU)

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SCHILLING O

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(Eupec, Warstein, DEU)

Eupec, Warstein, DEU について

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資料名：

Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)

Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs について

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巻： 13th ページ： 121-124 発行年： 2001年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

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3kVあるいはそれより高い直流で動作するスイッチングデバイス...

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(NA05060K)

継電器・スイッチについて

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