Si上に直接堆積したゲート絶縁体用ZrO<sub>2</sub>の電気及び信頼特性

QI W-J; NIEH R; LEE B H; KANG L; JEON Y; LEE J C

文献

J-GLOBAL ID：200902182681435487 整理番号：01A0162855

Si上に直接堆積したゲート絶縁体用ZrO₂の電気及び信頼特性

Electrical and reliability characteristics of ZrO₂ deposited directly on Si for gate dielectric application.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=01A0162855&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0162855&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 77 号： 20 ページ： 3269-3271 発行年： 2000年11月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

反応性スパッタリングにより標記の高誘電率膜を作製し,電気特性...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0162855&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

誘電体一般 , 固体デバイス材料

, , , ,

前のページに戻る

Si上に直接堆積したゲート絶縁体用ZrO2の電気及び信頼特性

Si上に直接堆積したゲート絶縁体用ZrO₂の電気及び信頼特性