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J-GLOBAL ID：200902182744779858   整理番号：97A0244667

表面バリアと低臨界磁場を有するBean臨界状態モデルの修正

Modification of the Bean Critical-State Model with Surface Barriers and Lower Critical Fields.
著者 (3件)：
TOCHIHARA S

TOCHIHARA S について

(National Defence Acad., Yokosuka)

National Defence Acad., Yokosuka について

, 
YASUOKA H

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(National Defence Acad., Yokosuka)

National Defence Acad., Yokosuka について

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MAZAKI H

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(National Defence Acad., Yokosuka)

National Defence Acad., Yokosuka について


資料名：
粉体および粉末冶金  (Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy)

粉体および粉末冶金 について


巻： 44  号： 2  ページ： 168-172  発行年： 1997年02月 
JST資料番号： F0691A  ISSN： 0532-8799  CODEN： FOFUA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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Jcが一定と仮定した修正Beanモデル...
シソーラス用語：
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電流密度

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分類 (1件)：
分類
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超伝導体の物性一般 
(BM04021A)

超伝導体の物性一般 について

引用文献 (15件)：
  • BEAN, C. P. Phys. Rev. Lett. 1962, 8, 250
  • BEAN, C. P. Rev. Mod. Phys. 1964, 36, 31
  • LONDON, H. Phys. Lett. 1964, 6, 162
  • BEAN, C. P. Phys. Rev. Lett. 1964, 12, 14
  • ULLMAIER, H. A. phys. State Sol. 1966, 17, 631
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タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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臨界磁場

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臨界状態モデル

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