SiをドープしたAlNとAlxGa1-xN(0.42≦x<1)におけるn型伝導の意図的な制御

TANIYASU Y; KASU M; KOBAYASHI N

文献

J-GLOBAL ID：200902183012127927 整理番号：02A0682930

SiをドープしたAlNとAlxGa1-xN(0.42≦x<1)におけるn型伝導の意図的な制御

Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlXGa1-XN (0.42≦X<1).

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巻： 81 号： 7 ページ： 1255-1257 発行年： 2002年08月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Siドーパント密度を制御して,Al濃度が大きくてn型伝導を示...

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半導体結晶の電気伝導 , 半導体の格子欠陥

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SiをドープしたAlNとAl<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(0.42≦x<1)におけるn型伝導の意図的な制御