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J-GLOBAL ID：200902183028442172   整理番号：01A0192151

炭化けい素(SiC)エピタキシャルチャネルMOSFETの特性評価

Characterization of Silicon Carbide(SiC) Epitaxial Channel MOSFETs.

著者 (2件)： WAGNER W E III (Lucent Technol., PA, USA) ,  WHITE M H (Lehigh Univ., PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47  号： 11  ページ： 2214-2220  発行年： 2000年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H 炭化けい素(SiC)基板上に,N<sup>+</sup...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： チャネル【半導体】

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化けい素 ,  SiC ,  MOSFET ,  特性評価