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J-GLOBAL ID：200902183364071093   整理番号：97A0592111

LaSrGaO₄(100)基板上の面内配向La_2-xSr_xCuO₄(100)膜の異方的電気抵抗率

Anisotropic Resistivity of In-Plane-Aligned La_2-xSr_xCuO₄(100) Films on LaSrGaO₄(100) Substrates.

著者 (9件)： MYOREN H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  BERGS R (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  TACHIKI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHEN J (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NAKAJIMA K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUZUKI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMASHITA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SATO H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  NAITO M (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 5A  ページ： 2642-2645  発行年： 1997年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KrFレーザアブレーション法により,標記の膜を作製した。X線...

シソーラス用語： 高温超伝導体 ,...

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分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

引用文献 (15件)：

• 1) H. Tamasaku, Y. Nakamura and S. Uchida: Phys. Rev. Lett. 69 (1992) 1455
• 2) J. H. Kim, B. J. Feenstra, H. S. Somal, D. van der Marel, A. Wittlin, V. H. M. Duijn, A. A. Menovsky and W. Y. Lee: Synth. Met. 71 (1995) 1577.
• 3) R. Kleiner, F. Steinmeyer, G. Kunkel and P. Müller: Phys. Rev. Lett. 68 (1992) 2394
• 4) M. Veith, T. Eick, W. Brodkorb, M. Manzel, I. Bruchlos, T. Kohler, H.-G. Schmidt, E. Steinbeiss, H.-J. Fuchs, K. Schlenga, G. Hechtfischer and P. Müller: J. Appl. Phys. 80 (1996) 3396
• 5) M. Tachiki, T. Koyama and S. Takahashi: Phys. Rev. B 50 (1994) 7065

タイトルに関連する用語 (2件)： 配向 ,  電気抵抗率