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J-GLOBAL ID：200902183571255854   整理番号：00A0932961

走査型熱顕微鏡による全体的および部分的に合体した横方向エピタキシャル被覆成長したGaN/サファイア(0001)の熱伝導

Thermal conductivity of fully and partially coalesced lateral epitaxial overgrown GaN/sapphire (0001) by scanning thermal microscopy.

著者 (7件)： FLORESCU D I (City Univ. New York, New York) ,  ASNIN V N (City Univ. New York, New York) ,  POLLAK F H (City Univ. New York, New York) ,  JONES A M (EMCORE Corp., New Jersey) ,  RAMER J C (EMCORE Corp., New Jersey) ,  SCHURMAN M J (EMCORE Corp., New Jersey) ,  FERGUSON I (EMCORE Corp., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 10  ページ： 1464-1466  発行年： 2000年09月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300KでのGaN/サファイア(0001)の熱伝導率(κ)を...

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 走査型熱顕微鏡 ,  合体 ,  横方向 ,  エピタキシャル ,  被覆成長 ,  GaN ,  サファイア ,  熱伝導