文献
J-GLOBAL ID：200902183573427334   整理番号：93A0911336

Bulk defects and radiation damage in detector grade silicon.

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著者 (6件)：
WALTER J

WALTER J について

(IntraSpec, Inc., TN)

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, 
GARBER W

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(IntraSpec, Inc., TN)

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, 
WUNSTORF R

WUNSTORF R について

(Univ. Tennessee, TN)

Univ. Tennessee, TN について

, 
BUGG W

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(Univ. Tennessee, TN)

Univ. Tennessee, TN について

, 
HARVEY J

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(Oak Ridge National Lab., TN)

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, 
CASSON W

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(Oak Ridge National Lab., TN)

Oak Ridge National Lab., TN について


資料名：
Semiconductors for Room-Temperature Radiation Detector Applications  (Semiconductors for Room-Temperature Radiation Detector Applications)

Semiconductors for Room-Temperature Radiation Detector Applications について


ページ： 515-526  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930547  ISBN： 1-55899-198-0  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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