圧電効果によるIII-V窒化物のSchottky障壁の調節

YU E T; DANG X Z; YU L S; QIAO D; ASBECK P M; LAU S S; SULLIVAN G J; BOUTROS K S; REDWING J M

文献

J-GLOBAL ID：200902183770815516 整理番号：98A0947975

圧電効果によるIII-V窒化物のSchottky障壁の調節

Schottky barrier engineering in III-V nitrides via the piezoelectric effect.

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資料名：
巻： 73 号： 13 ページ： 1880-1882 発行年： 1998年09月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体-金属接触 , トランジスタ

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