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J-GLOBAL ID：200902183833061851   整理番号：97A0015436

デュアルゲートCMOS・ULSI用超薄窒化酸化膜への窒素プロファイル工学の影響

The impact of nitrogen profile engineering on ultra-thin nitrided oxide films for dual-gate CMOS ULSI.

著者 (9件)： HASEGAWA E (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAWATA M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ANDO K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAKABE M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KITAKATA M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ISHITANI A (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MANCHANDA L (AT&T Bell Lab., NJ) ,  KRISCH K S (AT&T Bell Lab., NJ) ,  FELDMAN L C (AT&T Bell Lab., NJ)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1995  ページ： 327-330  発行年： 1995年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.25μmデュアルゲートCMOSデバイスアプリケーション用...

シソーラス用語： CMOS構造 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： デュアルゲート ,  CMOS ,  ULSI ,  窒化 ,  酸化膜 ,  窒素 ,  プロファイル ,  工学