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J-GLOBAL ID：200902183858037505   整理番号：97A0779351

ピロ電気デバイスおよび他の集積化デバイス用ゾル-ゲルPZT薄膜の低温作製

Low Temperature Preparation of Sol-Gel PZT Thin Films for Pyroelectric and Other Integrated Devices.
著者 (3件)：
GUNTER J C

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(North Carolina State Univ., NC)

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, 
STREIFFER S K

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(North Carolina State Univ., NC)

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, 
KINGON A I

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(North Carolina State Univ., NC)

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資料名：
1996 IEEE 10th International Symposium on Applications of Ferroelectrics, Vol.1  (1996 IEEE 10th International Symposium on Applications of Ferroelectrics, Vol.1)

1996 IEEE 10th International Symposium on Applications of Ferroelectrics, Vol.1 について


ページ： 223-226  発行年： 1996年 
JST資料番号： K19970404  ISBN： 0-7803-3356-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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鉛ジルコンチタン(PZT)薄膜を,改良ゾル-ゲル手法を用いて...
シソーラス用語：
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ゾル-ゲル法

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PZT【鉛化合物】

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半導体薄膜 
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ゾル-ゲル

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作製

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