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J-GLOBAL ID：200902183883035410   整理番号：99A0580513

Ge/Si(001)2×1上表面偏析過程に対する表面水素の効果 (2) 水素照射温度依存性

Interplay of surface hydrogen and segrigation on Ge/Si(001)2×1 surfaces.

著者 (5件)： 小林慶裕 (NTT 基礎研) ,  住友弘二 (NTT 基礎研) ,  白石賢二 (NTT 基礎研) ,  宇理須恒雄 (分子科研) ,  荻野俊郎 (NTT 基礎研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 2  ページ： 548  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  Si ,  表面偏析 ,  過程 ,  水素 ,  温度依存性