Mechanical Stress Simulation During Gate Formation of MOS Devices Considering Crystallization-Induced Stress of p-Doped Silicon Thin Films.

文献

J-GLOBAL ID：200902184055963997 整理番号：94A0192173

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ページ： 177-180 発行年： 1993年
JST資料番号： K19940113 ISBN： 3-211-82504-5 資料種別：会議録 (C)
発行国：オーストリア (AUT) 言語：英語 (EN)

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