文献

J-GLOBAL ID：200902184074880415   整理番号：93A0610213

(111)A面GaAsの成長表面モホロジーと表面ストイキオメトリー

Dependence of growth layers morphology on (111)A GaAs upon surface stoichiometry.

著者 (6件)： 山本悌二 (ATR光電波通信研) ,  稲井誠 (ATR光電波通信研) ,  武部敏彦 (ATR光電波通信研) ,  篠田明典 (ATR光電波通信研) ,  藤井元忠 (ATR光電波通信研) ,  渡辺敏英 (ATR光電波通信研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 253  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  成長 ,  表面モホロジー ,  ストイキオメトリー