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J-GLOBAL ID:200902184367138420   整理番号:96A0551843

分子線エピタクシー成長させたn+GaAs/低温GaAs/n+GaAs構造の温度依存輸送特性

Temperature-dependent transport properties of n+ GaAs/low-temperature GaAs/n+ GaAs structures grown by molecular beam epitaxy.
著者 (6件):
資料名:
巻: 79  号: 11  ページ: 8488-8492  発行年: 1996年06月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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低温層を250,350,450°Cで成長させた標記構造の電流電...
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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