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J-GLOBAL ID：200902184405491783   整理番号：94A0223145

重金属汚染防止によるGaAsMESFET特性の安定化 (1) アニール保護膜質及び前処理

Effect of Heavy Metal Contamination of GaAsMESFET.

著者 (4件)： 大鹿克志 (日立) ,  黒田淳 (日立超LSIエンジニアリング) ,  浅香昭二 (日立) ,  柳沢寛 (日立)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 3  ページ： 1186  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 重金属汚染 ,  安定化 ,  アニール ,  膜質