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J-GLOBAL ID：200902184623320214   整理番号：97A0770905

液体ターゲットを用いたパルスレーザ蒸着による窒化ガリウム薄膜の成長

Growth of gallium nitride thin films by liquid-target pulsed laser deposition.

著者 (7件)： XIAO R F (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  SUN X W (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LI Z F (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CUE N (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  KWOK H S (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LIU Q Z (Univ. California, California) ,  LAU S S (Univ. California, California)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 15  号： 4  ページ： 2207-2213  発行年： 1997年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の基板(溶融石英,単結晶Si,サファイア)上にGaN薄膜...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 液体ターゲット ,  パルスレーザ蒸着 ,  窒化ガリウム ,  薄膜 ,  成長