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J-GLOBAL ID：200902184626124106   整理番号：99A0141599

結晶の完全性を目指して 一方向凝固過程における不純物原子の混入過程モンテカルロ・シミュレーション

To Realize the Perfect Crystallization. Monte Carlo Simulation of Unidirectional Melt Growth with Taking-in Process of Impurity.

著者 (2件)： 有馬義康 (学習院大 計算機セ) ,  入沢寿美 (学習院大 計算機セ)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 25  号： 5  ページ： 214-219  発行年： 1998年 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CZシリコンの成長を想定し,ダイヤモンド格子を選んで標記のシ...

シソーラス用語： Czochralski法 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (9件)：

• JACKSON, K. A. Liquid Metals and Solidification. 1958, 174
• TEMKIN, D. E. Crystallization Process. 1996, 15
• SWENDSEN, R. H. Phys. Rev. 1977, B15, 5421
• MON, K. K. Phys. Rev. 1989, B39, 7089
• MON, K. K. Phys. Rev. 1990, B42, 545

タイトルに関連する用語 (7件)： 結晶 ,  完全性 ,  凝固 ,  過程 ,  不純物原子 ,  混入 ,  モンテカルロ・シミュレーション