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J-GLOBAL ID：200902184761154830   整理番号：97A0453948

磁性多層膜におけるスピン依存型電子散乱を利用した極微磁電変換素子の研究 平成6-8年度 (文部省S)

Research of micro electric conversion element using spin-dependent type electron scattering in the magnetism multilayer. 1994-1996 fiscal year. ( Ministry of Education S ).

著者 (1件)： 松山公秀 (九大 大学院)
資料名： 磁気多層膜におけるスピン依存型電子散乱を利用した極微磁電変換素子の研究 平成6-8年度 No.06452231  (科学研究費補助金(基盤研究B2)研究成果報告書)
ページ： 73P  発行年： 1997年 
JST資料番号： N19971057  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マルチメディアに対応する次世代の大容量記憶装置の実現のために...

シソーラス用語： 磁気抵抗素子 ,...
準シソーラス用語： 公共資料 ,...

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分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 磁性多層膜 ,  スピン ,  依存型 ,  電子散乱 ,  変換素子 ,  研究 ,  文部省S