濃密気体状アルゴン及びクリプトン中の電子-イオン再結合速度定数  電場強度とN<sub>2</sub>あるいはCH<sub>4</sub>添加の影響

TAKEDA K; KATO R; HAYASHIDA M; ODAKA T; SHINSAKA K; KAMETA K; ODAGIRI T; KOUCHI N; HATANO Y

文献

J-GLOBAL ID：200902184820799521 整理番号：01A0435815

濃密気体状アルゴン及びクリプトン中の電子-イオン再結合速度定数電場強度とN₂あるいはCH₄添加の影響

Electron-ion recombination rate constants in dense gaseous argon and krypton: Effects of electric field strength and the addition of N₂ or CH₄.

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巻： 114 号： 8 ページ： 3554-3561 発行年： 2001年02月22日
JST資料番号： C0275A ISSN： 0021-9606 CODEN： JCPSA6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

パルス放射線分解dc-伝導度法と崩壊曲線解析により、標題の系...

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電子と分子の衝突・散乱 , 無触媒気相反応

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濃密気体状アルゴン及びクリプトン中の電子-イオン再結合速度定数 電場強度とN2あるいはCH4添加の影響

濃密気体状アルゴン及びクリプトン中の電子-イオン再結合速度定数電場強度とN₂あるいはCH₄添加の影響