高選択性,高異方性,かつエッチング時の帯電の少ない多結晶シリコンのパターニング方法としてのパルス時間変調電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング

SAMUKAWA S; TERADA K

文献

J-GLOBAL ID：200902184842014820 整理番号：95A0141333

高選択性,高異方性,かつエッチング時の帯電の少ない多結晶シリコンのパターニング方法としてのパルス時間変調電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング

Pulse-time modulated electron cyclotron resonance plasma etching for highly seletive, highly anisotropic, and less-charging polycrystalline silicon patterning.

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巻： 12 号： 6 ページ： 3300-3305 発行年： 1994年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

10-20μsecの範囲のパルス時間でパルス時間変調電子サイ...

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固体デバイス製造技術一般

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