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J-GLOBAL ID：200902184902563364   整理番号：01A0509305

1.55μmで発光するInAs/InP量子ドットにおける高さ分散の制御

Height dispersion control of InAs/InP quantum dots emitting at 1.55μm.

著者 (7件)： PARANTHOEN C (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  BERTRU N (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  DEHAESE O (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  LE CORRE A (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  LOUALICHE S (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  LAMBERT B (INSA-Rennes, Rennes, FRA) ,  PATRIARCHE G (France Telecom, Bagneux, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 12  ページ： 1751-1753  発行年： 2001年03月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のInAs/InP量子ドットの気体源分子ビームエピタクシ...

シソーラス用語： *量子ドット ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  InP ,  量子ドット ,  高さ