GaNバッファ層を利用したサファイア基板上へのウルツ鉱型GaNのガス源分子線エピタクシー

GRANDJEAN N; LEROUX M; LAUEGT M; MASSIES J

文献

J-GLOBAL ID：200902185025533617 整理番号：97A0743377

GaNバッファ層を利用したサファイア基板上へのウルツ鉱型GaNのガス源分子線エピタクシー

Gas source molecular beam epitaxy of wurtzite GaN on sapphire substrates using GaN buffer layers.

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Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 71 号： 2 ページ： 240-242 発行年： 1997年07月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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(0001)サファイア基板に標記GaNを成長した。成長表面で...

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