文献
J-GLOBAL ID：200902185089499412   整理番号：96A0059210

0.25μm世代のメタライゼーション TiCl4を用いたTi,TiN-CVDによる微細コンタクト形成技術

Metallization for 0.25μm Generation Products. Fine Geometry Contact Formation Using Ti and TiN CVD with TiCl4.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0059210&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0509A") }}
著者 (4件)：
宮本孝章

宮本孝章 について

(ソニー)

ソニー について

, 
川島淳志

川島淳志 について

(ソニー)

ソニー について

, 
門村新吾

門村新吾 について

(ソニー)

ソニー について

, 
青山純一

青山純一 について

(ソニー)

ソニー について


資料名：
月刊Semiconductor World  (月刊セミコンダクターワールド)

月刊Semiconductor World について


巻： 14  号： 14  ページ： 170-173  発行年： 1995年12月 
JST資料番号： Y0509A  ISSN： 0286-5025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
TiCl4を用いたTi,TiN-CVD...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Ohm接触

Ohm接触 について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ステップカバレッジ

ステップカバレッジ について


   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0059210&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0509A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
世代

世代 について

, 
メタライゼーション

メタライゼーション について

, 
TiCl4

TiCl4 について

, 
Ti

Ti について

, 
TiN

TiN について

, 
CVD

CVD について

, 
コンタクト

コンタクト について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM