文献
J-GLOBAL ID:200902185192667692
整理番号:93A0610120
S終端処理を施したGaAlAs基板上でのGa液滴からのGaAsエピタキシャル微結晶の成長
Growth of GaAs EpitaxialMicrocrystals on a S-terminated GaAlAs Substrate by Droplet Epitaxy.
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0610120©=1") }}
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0610120&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}