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J-GLOBAL ID：200902185192667692   整理番号：93A0610120

S終端処理を施したGaAlAs基板上でのGa液滴からのGaAsエピタキシャル微結晶の成長

Growth of GaAs EpitaxialMicrocrystals on a S-terminated GaAlAs Substrate by Droplet Epitaxy.

著者 (3件)： 石毛桂子 (金材技研) ,  高橋聡 (金材技研) ,  小口信行 (金材技研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 208  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： 終端 ,  GaAlAs ,  Ga ,  液滴 ,  GaAs ,  エピタキシャル ,  微結晶 ,  成長