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J-GLOBAL ID：200902185251840662   整理番号：02A0026416

76mm²,8Mbチェイン強誘電体メモリ

A 76-mm² 8-Mb Chain Ferroelectric Memory.

著者 (9件)： TAKASHIMA D (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKEUCHI Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MIYAKAWA T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  ITOH Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  OGIWARA R (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KAMOSHIDA M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  HOYA K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MANO DOUMAE S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  OZAKI T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 36  号： 11  ページ： 1713-1720  発行年： 2001年11月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体メモリ(FeRAM)は移動電話やモバイルコンピューテ...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： ダミーセル ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (2件)： チェイン ,  強誘電体メモリ