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J-GLOBAL ID：200902185357682683   整理番号：99A0864391

Si及びAuドープGe超格子薄膜の異常に大きい熱起電力

Anomalous Large Thermoelectric Power of the Si and Au Doped Ge Superlattice Thin Film.

著者 (4件)： OKAMOTO Y (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  UCHINO H (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  KAWAHARA T (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  MORIMOTO J (National Defense Acad., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 8B  ページ： L945-L947  発行年： 1999年08月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超格子薄膜の熱起電力特性を温度の関数として研究した。超格子薄...

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (15件)：

• 1) L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus: Phys. Rev. B47 (1993) 16631.
• 2) L. D. Hicks, T. C. Harman, X. Sun and M. S. Dresselhaus: Phys. Rev. B53 (1996) 10493.
• 3) D. A. Broido and T. L. Reinecke: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 100.
• 4) D. A. Broido and T. L. Reinecke: Phys. Rev. B51 (1995) 13797.
• 5) D. A. Broido and T. L. Reinecke: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2834.

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Au ,  ドープ ,  Ge ,  超格子 ,  薄膜 ,  熱起電力