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J-GLOBAL ID：200902185467755708   整理番号：99A0373568

閉込め系としての多孔質Siの電場誘起機能

Field-induced functions of porous Si as a confined system.

著者 (3件)： KOSHIDA N (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  UENO K (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  SHENG X (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 80  号： 1/4  ページ： 37-42  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エレクトロルミネセント多孔質Si(PS)ダイオードは高い電場...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 閉込め ,  多孔質Si ,  電場 ,  誘起