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J-GLOBAL ID：200902185584208971   整理番号：93A0610421

MOCVD法によるZnSe/ZnSSe系ダイオードの電気光学特性

Electrical and Optical Properties of ZnSe/ZnSSe Diodes Grown by MOCVD.

著者 (8件)： 藤井詳久 (広島大 工) ,  岡本建一 (広島大 工) ,  末宗幾夫 (広島大 工) ,  藤本昌宏 (広島大 工) ,  苧坂博文 (広島大 工) ,  岡村和浩 (広島大 工) ,  LEE Y (広島大 工) ,  山西正道 (広島大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 339  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOCVD ,  ZnSe ,  ダイオード ,  光学特性