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J-GLOBAL ID：200902185588163328   整理番号：95A0912692

Deep UV SiN_xハーフトーンマスクを用いた0.2μmコンタクトホールパターン形成

Fabrication of 0.2.MU.m contact hole patterns using deep UV SiNx halftone mask.

著者 (6件)： 川野健二 (東芝) ,  浅野昌史 (東芝) ,  岩松孝行 (東芝) ,  田中聡 (東芝) ,  伊藤信一 (東芝) ,  大西廉伸 (東芝)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 1995  号： Society C2  ページ： 151-152  発行年： 1995年09月 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSIの高集積度化に伴い加工技術に対してより微細化が要求され...

シソーラス用語： *コンタクトホール ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ハーフトーン ,  マスク ,  コンタクトホール ,  パターン形成