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J-GLOBAL ID：200902185603892803   整理番号：99A0390425

低電圧(<250V)4H-SiC p⁺n接合ダイオードにおけるバルクおよび基本的螺旋転位が介助する逆方向降伏の調査 I DC特性

Study of Bulk and Elementary Screw Dislocation Assisted Reverse Breakdown in Low-Voltage(<250V) 4H-SiC p⁺n Junction Diodes. Part I. DC Properties.

著者 (3件)： NEUDECK P G (NASA Lewis Res. Center, OH, USA) ,  HUANG W (State Univ. New York, NY, USA) ,  DUDLEY M (State Univ. New York, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 46  号： 3  ページ： 478-484  発行年： 1999年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電圧・小面積(5×10^-4cm<su...

シソーラス用語： *接合ダイオード ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電圧 ,  接合ダイオード ,  バルク ,  螺旋転位 ,  介助 ,  降伏 ,  調査