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J-GLOBAL ID:200902185616884389   整理番号:00A0310951

圧電性Ga1-xInxN/GaN量子井戸構造における電場強度,分極双極子及び多重界面バンドオフセット

Electric-field strength, polarization dipole, and multi-interface band offset in piezoelectric Ga1-xInxN/GaN quantum-well structures.
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資料名:
巻: 61  号:ページ: 2159-2163  発行年: 2000年01月15日 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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標題多重量子井戸構造の圧電特性を,0<x<0.2組成と,23...
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分類 (2件):
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その他の光学的効果  ,  半導体結晶の電子構造 

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