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J-GLOBAL ID：200902185670638822   整理番号：94A0133781

直流グロー放電で調製した水素化アモルファスシリコン膜の性能に及ぼす電力と圧力の影響

Effect of power and pressure on the properties of hydrogenated amorphous silicon films prepared by DC glow discharge.

著者 (4件)： SETH T (National Physical Lab., New Delhi, IND) ,  DIXIT P N (National Physical Lab., New Delhi, IND) ,  PANWAR O S (National Physical Lab., New Delhi, IND) ,  BHATTACHARYYA R (National Physical Lab., New Delhi, IND)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 31  号： 2  ページ： 215-226  発行年： 1993年11月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直流グロー放電プラズマCVDでの陽極への蒸着速度を18Å/s...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (2件)： 光電デバイス一般  (NC03081P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 直流 ,  グロー放電 ,  調製 ,  水素化アモルファスシリコン