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J-GLOBAL ID：200902185674724545   整理番号：02A0599355

熱処理したNi(膜)/4H-SiC(基板)界面の軟X線放射研究

Soft X-ray emission study of thermally treated Ni(film)/4H-SiC(substrate) interface.

著者 (7件)： OHI A (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  LABIS J (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  MORIKAWA Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  FUJIKI T (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  HIRAI M (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  KUSAKA M (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  IWAMI M (Okayama Univ., Okayama, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 190  号： 1/4  ページ： 366-370  発行年： 2002年05月08日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC上へのコンタクトとしてのNi蒸着を調べた。Ni...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 4H-SiC

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分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱処理 ,  Ni ,  4H-SiC ,  界面 ,  軟X線 ,  放射 ,  研究