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J-GLOBAL ID：200902185720718237   整理番号：99A0565466

SIMSによるウルトラシャロー接合プロファイル測定

Ultra shallow junction profile measurement by SIMS.
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著者 (3件)：
鹿内紀子

鹿内紀子 について

(東レリサーチセ)

東レリサーチセ について

, 
畑田昌幸

畑田昌幸 について

(東レリサーチセ)

東レリサーチセ について

, 
MAGEE C W

MAGEE C W について

(Evans east)

Evans east について


資料名：
TRC News (Tokyo)  (TRC News (Tokyo))

TRC News (Tokyo) について


号： 67  ページ： 17-22  発行年： 1999年04月01日 
JST資料番号： L2876A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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二次イオン質量分析(SIMS)を用いたSi中のBの極く浅い領...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*二次イオン質量分析

二次イオン質量分析 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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SIMS

SIMS について

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プロファイル

プロファイル について


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