文献
J-GLOBAL ID:200902185854998830
整理番号:97A0566045
超高アスペクト比のコンタクトホールエッチングの評価
Characteristics of Very High-Aspect-Ratio Contact Hole Etching.
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著者 (5件):
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資料名:
巻:
36
号:
4B
ページ:
2470-2476
発行年:
1997年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
プラズマ応用
, 固体デバイス製造技術一般
引用文献 (16件):
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1) J. Marks, K. Collins, C. L. Yang, D. Groechel, P. Keswick and C. Cunningham: Proc. Advanced Techniques for Integrated Circuit Processing II (The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, Washington, 1992) Vol. 1803.
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2) H. Hayashi, K. Kurihara and M. Sekine: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 2488
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3) T. Fukasawa, K. Kubota, H. Shindo and Y. Horiike: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 7042
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4) K. Kurihara, M. Sekine and H. Okano: Proc. Dry Process Symp, Tokyo, 1994 (The Institute of Electrical Engineers of Japan, Tokyo, 1994) p. 217.
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5) J. Janes and W. Pilz: J. Appl. Phys. 74 (1993) 649
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