有機金属気相エピタクシーによるGaAs/InAsヘテロ構造ナノ円柱の自己組織化成長

文献

J-GLOBAL ID：200902185874632556 整理番号：96A0575752

Self-organized growth of GaAs/InAs heterostructure nanocylinders by organometallic vapor phase epitaxy.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=96A0575752&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0575752&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 163 号： 3 ページ： 226-231 発行年： 1996年06月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

長さが1μmで,直径が20nmと細い自立したGaAs/InA...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0575752&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

半導体薄膜

, , , , , ,

前のページに戻る