文献

J-GLOBAL ID：200902185879679674   整理番号：02A0815383

炭化ケイ素の焼結と焼結理論に関する研究

Sintering of Silicon Carbide and Theory of Sintering.

著者 (1件)： TANAKA H (National Inst. Materials Sci., Ibaraki)
資料名： 日本セラミックス協会学術論文誌  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 110  号： 1286  ページ： 877-883  発行年： 2002年10月01日 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 0914-5400  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC焼結に関して重要な問題である,粉末合成,焼結過程,焼結...

シソーラス用語： エンジニアリングセラミック ,...

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分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

物質索引 (1件)： テトラエトキシシラン

引用文献 (33件)：

• SOMIYA, S. Ed. Silicon Carbide Ceramics-1. 1991, 1-288
• SUZUKI, H. Ed. Advanced Silicon Carbide Ceramics. 2001, 1-350
• TANAKA, H. Ceramics International. 1988, 14, 109-115
• TANAKA, H. J. Ceram. Soc. Japan. 1990, 98, 607-610
• TANAKA, H. J. Mater. Res. 1999, 14, 518-522

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化ケイ素 ,  焼結 ,  理論 ,  研究