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J-GLOBAL ID：200902185905468377   整理番号：93A0873701

Degradation and recovery of boron doped strained silicon germanium layers after 1-MeV electron irradiation.

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著者 (6件)：
OHYAMA H

OHYAMA H について

(Interuniversity Micro-Electronics Centre(IMEC), Leuven, BEL)

Interuniversity Micro-Electronics Centre(IMEC), Leuven, BEL について

, 
VANHELLEMONT J

VANHELLEMONT J について

(Interuniversity Micro-Electronics Centre(IMEC), Leuven, BEL)

Interuniversity Micro-Electronics Centre(IMEC), Leuven, BEL について

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TRAUWAERT M-A

TRAUWAERT M-A について

(Interuniversity Micro-Electronics Centre(IMEC), Leuven, BEL)

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, 
POORTMANS J

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(Interuniversity Micro-Electronics Centre(IMEC), Leuven, BEL)

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, 
CAYMAX M

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(Interuniversity Micro-Electronics Centre(IMEC), Leuven, BEL)

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, 
CLAUWS P

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(RUG, Gent, BEL)

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資料名：
Semiconductor Heterostructures for Photonic and Electronic Applications  (Semiconductor Heterostructures for Photonic and Electronic Applications)

Semiconductor Heterostructures for Photonic and Electronic Applications について


ページ： 433-438  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930493  ISBN： 1-55899-176-X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

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