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J-GLOBAL ID：200902185911956669   整理番号：96A0641019

SiO₂膜中におけるトラップ電荷の弾道電子放出顕微鏡観察を用いたナノメータスケール形成及び特徴付け

Nanometer-Scale Creation and Characterization of Trapped Charge in SiO₂ Films Using Ballistic Electron Emission Microscopy.

著者 (3件)： KACZER B (Ohio State Univ., Ohio) ,  MENG Z (Ohio State Univ., Ohio) ,  PELZ J P (Ohio State Univ., Ohio)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 77  号： 1  ページ： 91-94  発行年： 1996年07月01日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/SiO₂/Si構造中における~2...

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiO2 ,  トラップ電荷 ,  弾道電子放出顕微鏡 ,  観察