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J-GLOBAL ID：200902186145606630   整理番号：02A0650651

ほう素及び硫黄を用いるダイヤモンドの共ドーピング

Co-doping of Diamond with Boron and Sulfur.

著者 (5件)： EATON S C (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  ANDERSON A B (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  ANGUS J C (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  EVSTEFEEVA Y E (Frumkin Inst. Electrochemistry, Moscow, RUS) ,  PLESKOV Y V (Frumkin Inst. Electrochemistry, Moscow, RUS)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 5  号： 8  ページ： G65-G68  発行年： 2002年08月 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H₂S及びトリメチルボロンを用いる共ド...

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気化学一般  (CB07010N)

物質索引 (1件)： トリメチルボラン

タイトルに関連する用語 (4件)： ほう素 ,  硫黄 ,  ダイヤモンド ,  共ドーピング