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J-GLOBAL ID：200902186153708396   整理番号：94A0704885

6H-SiC種結晶の様々な面上での6H-SiC結晶の昇華成長

Sublimation growth of 6H-SiC crystals on different faces of a 6H-SiC seed.

著者 (4件)： YANG J (Case Western Reserve Univ., OH, USA) ,  NISHINO S (Case Western Reserve Univ., OH, USA) ,  MEHRAGANY M (Case Western Reserve Univ., OH, USA) ,  PIROUZ P (Case Western Reserve Univ., OH, USA)
資料名： Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)
号： 137  ページ： 17-20  発行年： 1994年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 昇華法で成長させた6H-SiCの質を,様々な6H-SiC基板...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 6H-SiC ,  種結晶 ,  結晶 ,  昇華 ,  成長