文献
J-GLOBAL ID：200902186532748303   整理番号：94A0057096

素子応用のための鉄ドープした半絶縁りん化インジウム基板の特性

Fe doped semi-insulating indium phosphide substrate characterization for device applications.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0057096&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19930650") }}
著者 (2件)：
GRATTEPAIN C

GRATTEPAIN C について

(THOMSON-CSF LCR, Orsay, FRA)

THOMSON-CSF LCR, Orsay, FRA について

, 
HUBER A M

HUBER A M について

(THOMSON-CSF LCR, Orsay, FRA)

THOMSON-CSF LCR, Orsay, FRA について


資料名：
Semi-Insulating 3-5 Materials, Ixtapa, Mexico 1992  (Semi-Insulating 3-5 Materials, Ixtapa, Mexico 1992)

Semi-Insulating 3-5 Materials, Ixtapa, Mexico 1992 について


ページ： 195-199  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930650  ISBN： 0-7803-0900-6  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
構造解析に化学的角度研磨を使ったエッチング技術(ETOCAP...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
リン化インジウム

リン化インジウム について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ETOCAPS

ETOCAPS について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0057096&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=K19930650") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料 
(NC03020K)

固体デバイス材料 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
応用

応用 について

, 
鉄

鉄 について

, 
ドープ

ドープ について

, 
半絶縁

半絶縁 について

, 
りん化インジウム

りん化インジウム について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM