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J-GLOBAL ID：200902186665289840   整理番号：02A0465951

先端放電型マイクロ波プラズマCVD装置を用いたIr基板上へのヘテロエピタキシャルダイヤモンド核形成初期過程の考察

著者 (6件)： 藤崎豊克 (早稲田大 理工) ,  立木実 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  谷山記一 (ミクロ電子) ,  工藤稔 (ミクロ電子) ,  川原田洋 (FCT・JFCC)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 2  ページ： 572  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： マイクロ波プラズマCVD ,  Ir ,  核形成 ,  初期 ,  過程