文献

J-GLOBAL ID：200902186779882010   整理番号：95A0981057

新しいバンドオフセット決定法としての低エネルギー収量分光法 c-Si(100)/-aSi:Hヘテロ接合への応用

Low-Energy Yield Spectroscopy as a Novel Technique for Determining Band Offsets: Application to the c-Si(100)/a-Si:H Heterostructure.

著者 (5件)： SEBASTIANI M ,  DI GASPARE L ,  CAPELLINI G ,  BITTENCOURT C ,  EVANGELISTI F
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 75  号： 18  ページ： 3352-3355  発行年： 1995年10月30日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ接合のバンドオフセットを決定するための光電子収量分光法...

シソーラス用語： 光電子分光法 ,...
準シソーラス用語： 光電子収量分光法

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0981057&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0070A") }}

分類 (3件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  電子構造一般  (BM02010K) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： バンドオフセット ,  低エネルギー ,  収量 ,  分光法 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  応用