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J-GLOBAL ID：200902186846530574   整理番号：01A0207371

プラズマ支援分子ビームエピタクシーで成長したZnO膜の極性の制御 Ga極性GaNテンプレート上のZn極性及びO極性のZnO膜

Control of polarity of ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Zn- and O-polar ZnO films on Ga-polar GaN templates.

著者 (8件)： HONG S-K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANADA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KO H-J (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHEN Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IMAI D (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN) ,  ARAKI K (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHINOHARA M (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 22  ページ： 3571-3573  発行年： 2000年11月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマCVD法により単極性(Ga極性)GaNエピ層に,異な...

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  ZnO ,  極性 ,  Ga ,  GaN ,  テンプレート ,  Zn