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J-GLOBAL ID：200902187018644627   整理番号：96A0800854

ナノ結晶メモリ中の単一電子および閉込め効果

Single charge and confinement effects in nano-crystal memories.

著者 (5件)： TIWARI S (IBM Res. Div., New York) ,  RANA F (IBM Res. Div., New York) ,  CHAN K (IBM Res. Div., New York) ,  SHI L (IBM Res. Div., New York) ,  HANAFI H (IBM Res. Div., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 9  ページ： 1232-1234  発行年： 1996年08月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Coulombブロッケードおよび三次元閉込めによるナノ結晶(...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ結晶 ,  単一電子 ,  閉込め効果