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J-GLOBAL ID：200902187115700779   整理番号：01A0119691

先端放電型マイクロ波プラズマCVD装置を用いたIr基板上へのダイヤモンドヘテロエピタキシャル薄膜の作製

著者 (6件)： 藤崎豊克 (早稲田大 理工) ,  立木実 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  谷山記一 (ミクロ電子) ,  工藤稔 (ミクロ電子) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 14th  ページ： 42-43  発行年： 2000年11月30日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ダイヤモンド ,...

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分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロ波プラズマCVD ,  Ir ,  薄膜 ,  作製