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J-GLOBAL ID：200902187166595368   整理番号：97A0088471

強誘電体スパッタ薄膜の組成制御および高速成膜技術

Compositional control and high-rate deposition of sputtered ferroelectric thin films.

著者 (4件)： すう江こう (日本真空技術) ,  西岡浩 (日本真空技術) ,  大沢明 (日本真空技術) ,  谷典明 (日本真空技術)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 65  号： 12  ページ： 1248-1252  発行年： 1996年12月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代LSIメモリーへの応用を目指して開発を進めてきた強誘電...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,...

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分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (15件)：

• 1) 日刊工業新聞 (1996年8月26日).
• 2) 日刊工業新聞 (1996年9月17日).
• 3) S. Yamamichi, T. Sakuma, K. Takamura and Y. Miyasaka: Jpn. J. Appl. Phys. 30, 2193 (1991).
• 4) K. Abe and S. Komatsu: Jpn. J. Appl. Phys. 31, 2985 (1992).
• 5) T. Kuroiwa, T. Honda, H. Watarai and K. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3025 (1992).

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  スパッタ ,  薄膜 ,  組成制御 ,  高速成膜